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IXFP34N65X2

更新时间： 2024-09-14 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 310K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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X2-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 34A  
RDS(on) 100m  
IXFP34N65X2  
IXFH34N65X2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-220  
(IXFP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
TJ = 25C to 150C  
650  
650  
V
V
S
D (Tab)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
TO-247  
(IXFH)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
34  
68  
A
A
G
D
D (Tab)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
10  
1
A
J
S
EAS  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
540  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-220  
TO-247  
3
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 2.5mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Applications  
3.5  
5.0  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
100 nA  
IDSS  
10 A  
1.75 mA  
TJ = 125C  
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
100 m  
DS100683E(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXFP34N65X2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP34N65X2M LITTELFUSE

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 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP34N65X3 LITTELFUSE

获取价格

 		这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。 这些产品的额定标称电流为34A，
IXFP36N20X3 LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP36N20X3M LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP36N30P3 LITTELFUSE

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 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP36N60X3 LITTELFUSE

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 		600V X3-Class超级结MOSFET IXFP36N60X3的标称额定电流为36A
IXFP38N30X3 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP38N30X3 LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP38N30X3M LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP3N120 IXYS

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 		HiPerFET Power MOSFETs

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