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IXFP4N100P

更新时间： 2024-11-21 14:56:47
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力特 - LITTELFUSE /
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IXFP4N100P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：3.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFP4N100P 数据手册

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PolarTM HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 1000V  
ID25 = 4A  
RDS(on) 3.3  
IXFA4N100P  
IXFP4N100P  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-263 (IXFA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
1000  
1000  
V
V
TO-220 (IXFP)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
4
8
A
A
D
S
D (Tab)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
4
A
G = Gate  
S = Source Tab = Drain  
D
= Drain  
EAS  
200  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
150  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
Features  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
International Standard Packages  
Low RDS(on) and QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
Fast Intrinsic Rectifier  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
1000  
V
V
3.0  
6.0  
Applications  
           100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
10 A  
TJ = 125C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1  
750 A  
RDS(on)  
3.3  
Robotics and Servo Controls  
DS99921B(11/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP4N100PM IXYS

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 		Polar HiperFET Power MOSFET
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IXFP4N100Q IXYS

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