IXFP4N100P

更新时间： 2024-11-20 11:14:03

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描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFP4N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.28
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	3.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP4N100P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 4A

R_DS(on)≤ 3.3Ω

IXFA4N100P

IXFP4N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220AB (IXFP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (Tab)

= Drain

E_AS

200

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

150

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

International Standard Packages

Low R_DS(on)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10.65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications

±100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

I_DSS

10 μA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1

750 μA

R_DS(on)

3.3

Robotics and Servo Controls

DS99921A(7/10)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFA4N100P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT4N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP4N100PM	IXYS	获取价格	Polar HiperFET Power MOSFET
IXFP4N100PM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFP4N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFP4N100QM	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXFP4N100QM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFP4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFP4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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