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IXFA4N100Q

更新时间： 2024-01-14 00:24:32

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFA4N100Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA4N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFA 4N100Q V_DSS

IXFP 4N100Q I_D25

=1000 V

4 A

R_DS(on)= 3.0 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-220 (IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263 (IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

D (TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

150

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque(TO-220)

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-220

TO-263

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

• Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1000

3.0

V_GS(th)

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98705(02/04/00)

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