型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFA4N100Q-TRL | IXYS |
类似代替 |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | |
IXFA4N100P | IXYS |
类似代替 |
Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT4N100Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA4N100Q_11 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFA4N100QSN | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IXFA4N100Q-TRL | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | |
IXFA4N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA4N60P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXFA4N85X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA4N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA50N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA56N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA5N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |