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IXFA4N100Q

更新时间： 2024-11-21 03:16:47

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFA4N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFA 4N100Q V_DSS

IXFP 4N100Q I_D25

=1000 V

4 A

R_DS(on)= 3.0 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-220 (IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263 (IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

D (TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

150

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque(TO-220)

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-220

TO-263

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

• Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1000

3.0

V_GS(th)

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98705(02/04/00)

1 - 4

12 3 4

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IXFA4N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	类似代替	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N100P	IXYS	类似代替	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT4N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFA4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

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