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IXFA6N120P

更新时间： 2024-01-26 08:25:43

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4页	169K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFA6N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.0024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA6N120P 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 6A

R_DS(on)≤ 2.4Ω

IXFA6N120P

IXFP6N120P

IXFH6N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXFP)

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

250

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-220 &TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

10 µA

1 mA

T_J= 125°C

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.4

Ω

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100202A(11/09)

12 3 4

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IXFA6N120P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH6N120P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP6N120P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFA6N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA7N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA7N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA7N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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