型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFH6N120P | IXYS |
功能相似 |
Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFP6N120P | IXYS |
功能相似 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA72N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA72N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA76N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA76N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA7N100P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA7N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFA7N100P-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA7N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA7N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |