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IXFA7N60P3

更新时间： 2024-11-01 20:07:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	158K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN

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IXFA7N60P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	7	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA7N60P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3 ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 600V

I_D25= 7A

R_DS(on) 1.15

IXFA7N60P3

IXFP7N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

T_C= 25C

3.5

Tab = Drain

E_AS

400

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

180

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

-55 ... +150



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives



3.0

5.0



100 nA



Robotics and Servo Controls

I_DSS

10 A

T_J= 125C

125 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.15



DS100428A(11/13)

12 3 4 5

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IXFA7N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA7N60P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFP7N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTP7N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IXFA7N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA7N80P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA7N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA7N80P-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA8N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFB100N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFB100N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB100N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFB100N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和

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