5秒后页面跳转
IXFB100N50Q3 PDF预览

IXFB100N50Q3

更新时间: 2024-11-01 11:13:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
HiperFET Power MOSFET Q3-Class

IXFB100N50Q3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:8.45雪崩能效等级(Eas):5000 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.049 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1560 W最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXFB100N50Q3 数据手册

 浏览型号IXFB100N50Q3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFB100N50Q3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFB100N50Q3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFB100N50Q3的Datasheet PDF文件第5页 
Advance Technical Information  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
Q3-Class  
VDSS = 500V  
ID25 = 100A  
RDS(on) 49mΩ  
IXFB100N50Q3  
trr  
250ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Rectifier  
PLUS264TM  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
G
VDGR  
D
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±30  
±40  
V
V
Tab  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
100  
300  
A
A
G = Gate  
D
= Drain  
S
= Source  
Tab = Drain  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
5
A
J
EAS  
Features  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25°C  
50  
V/ns  
W
z
Low Intrinsic Gate Resistance  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on) and QG  
1560  
z
z
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
FC  
260  
30..120/6.7..27  
10  
Mounting Force  
N/lb.  
g
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
Weight  
z
Applications  
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.5  
Typ.  
Max.  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
z
6.5  
±200 nA  
IDSS  
50 μA  
TJ = 125°C  
2.5 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
49 mΩ  
DS100309(03/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

与IXFB100N50Q3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFB110N60P3 IXYS

获取价格

Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFB110N60P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFB120N50P2 IXYS

获取价格

PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFB120N50P2 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFB132N50P3 IXYS

获取价格

Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFB132N50P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFB150N65X2 LITTELFUSE

获取价格

这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的
IXFB170N30P IXYS

获取价格

Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB170N30P LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFB210N20P IXYS

获取价格

Polar HiPerFET Power MOSFET