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IXFB100N50Q3

更新时间: 2024-11-21 11:13:59
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
HiperFET Power MOSFET Q3-Class

IXFB100N50Q3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:8.45雪崩能效等级(Eas):5000 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.049 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1560 W最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXFB100N50Q3 数据手册

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Advance Technical Information  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
Q3-Class  
VDSS = 500V  
ID25 = 100A  
RDS(on) 49mΩ  
IXFB100N50Q3  
trr  
250ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Rectifier  
PLUS264TM  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
G
VDGR  
D
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±30  
±40  
V
V
Tab  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
100  
300  
A
A
G = Gate  
D
= Drain  
S
= Source  
Tab = Drain  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
5
A
J
EAS  
Features  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25°C  
50  
V/ns  
W
z
Low Intrinsic Gate Resistance  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on) and QG  
1560  
z
z
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
FC  
260  
30..120/6.7..27  
10  
Mounting Force  
N/lb.  
g
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
Weight  
z
Applications  
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.5  
Typ.  
Max.  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
z
6.5  
±200 nA  
IDSS  
50 μA  
TJ = 125°C  
2.5 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
49 mΩ  
DS100309(03/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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