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IXFB40N110Q3

更新时间： 2024-11-18 19:35:03

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	145K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFB40N110Q3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.19
Base Number Matches：	1

IXFB40N110Q3 数据手册

Preliminary Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFET

Q3-Class

V_DSS= 1100V

I_D25= 40A

R_DS(on) 260m

IXFB40N110Q3

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

PLUS264^TM

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

= Drain

= Source

Tab = Drain

100

I_A

T_C= 25C

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns



Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

1560



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force

30..120/6.7..27

N/lb.



High Power Density

Easy to Mount

Weight



Space Savings

Applications



DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

1100

3.5

Typ.

Max.

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



6.5

200 nA

I_DSS

50 A

T_J= 125C

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

260 m

DS100580A(02/14)

12 3 4 5 6

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