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IXFB44N100P

更新时间： 2024-11-03 14:56:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFB44N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFB44N100P 数据手册

MOSFET Datasheet

IXFB44N100P

1000 V, 220 mΩ Polar^TMHiPerFET^TMPower MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features:

■

Unclamped Inductive

Switching (UIS) Rated

Low Package Inductance

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectiﬁer

Avalanche Rated

■

Easy to Drive and to Protect

Low R_DS(on)and Q_G

Advantages:

Plus 264^TMPackage for Clip

High Power Density

■

or Spring Mounting

Space Savings

■

Applications:

■

Switched-Mode and

Resonant-Mode Power

Supplies

Laser Drivers

AC and DC Motor Controls

Robotics and Servo Controls

■

DC-DC Converters

Pinout Diagram (PLUSTO-264)

Product Summary

Tab

Characteristic

Value

1000

Unit

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

220

300

G: Gate; D: Drain; S: Emitter; Tab: Drain

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 06/08/2023

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