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IXFB44N100P

更新时间： 2024-01-08 19:01:41

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFB44N100P 数据手册

MOSFET Datasheet

IXFB44N100P

1000 V, 220 mΩ Polar^TMHiPerFET^TMPower MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features:

■

Unclamped Inductive

Switching (UIS) Rated

Low Package Inductance

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectiﬁer

Avalanche Rated

■

Easy to Drive and to Protect

Low R_DS(on)and Q_G

Advantages:

Plus 264^TMPackage for Clip

High Power Density

■

or Spring Mounting

Space Savings

■

Applications:

■

Switched-Mode and

Resonant-Mode Power

Supplies

Laser Drivers

AC and DC Motor Controls

Robotics and Servo Controls

■

DC-DC Converters

Pinout Diagram (PLUSTO-264)

Product Summary

Tab

Characteristic

Value

1000

Unit

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

220

300

G: Gate; D: Drain; S: Emitter; Tab: Drain

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 06/08/2023

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