生命周期: | Transferred | 包装说明: | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 4.44 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 110 A |
最大漏极电流 (ID): | 110 A | 最大漏源导通电阻: | 0.056 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 275 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFB120N50P2 | IXYS |
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PolarP2 HiPerFET Power MOSFET | |
IXFB120N50P2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFB132N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiPerFET Power MOSFET | |
IXFB132N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFB150N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFB170N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFB170N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFB210N20P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFB210N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFB210N30P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |