5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.44 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 110 A | 最大漏源导通电阻： | 0.056 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 275 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFB120N50P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFB120N50P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFB132N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFB132N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
|
| IXFB150N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
|
| IXFB170N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFB170N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFB210N20P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFB210N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFB210N30P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
