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IXFB170N30P

更新时间： 2024-11-01 11:13:59

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFB170N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.37	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	500 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFB170N30P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 18mΩ

≤ 200ns

IXFB170N30P

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Leads Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

170

500

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

1250

• Fast intrinsic diode

• Avalanche Rated

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Very low R_thresults high power

dissipation

• Low R_DS(ON)and Q_G

• Low package inductance

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

N/lb.

Advantages

Weight

• Low gate charge results in simple

drive requirement

• Improved Gate, Avalanche and

dynamic dv/dt ruggedness

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

300

• DC-DC coverters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

• AC and DC motor control

• Uninterrupted power supplies

• High speed power switching

applications

2.5

4.5

±200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

μA

1.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS100000(06/08)

12 3 4 5

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IXFB300N10P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB300N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB30N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
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IXFB38N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXFB38N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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