IXFB70N60Q2

更新时间： 2024-01-18 16:13:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFET Q-Class

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IXFB70N60Q2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.088 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	890 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFB70N60Q2 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSS= 600 V

I_D25= 70 A

IXFB 70N60Q2

R_DS(on)= 80 mΩ

≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

t_rr

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

PLUS 264^TM(IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

600

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

280

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

5.0

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

ꢀ

Double metal process for low gate

resistance

ꢀ

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

P_D

T_J

T_C= 25°C

890

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

ꢀ

DC-DC converters

ꢀ

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

ꢀ

DC choppers

ꢀ

Pulse generation

ꢀ

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Laser drivers

min. typ. max.

Advantages

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

600

3.0

ꢀ

PLUS 264^TMpackage for clip or spring

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

5.0 V

mounting

ꢀ

Space savings

V_GS= ±30 V, V_DS= 0

±200 nA

ꢀ

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

80 mΩ

DS99006(02/03)

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IXFB70N60Q2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK64N60Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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