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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.5 | 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 62 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 62 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1560 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFB60N80P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFB70N100X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFB70N60Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q-Class |
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| IXFB70N60Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFB72N55Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFB80N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFB80N50Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFB80N50Q2_07 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFB82N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFB82N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFB82N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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