品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 202K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用: 优点: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 5000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-264AA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 960 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFB80N50Q2_07 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFB82N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFB82N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class | |
IXFB82N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFB90N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFC10N80P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFC110N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 | |
IXFC12N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 | |
IXFC13N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET MOSFET ISOPLUS220 | |
IXFC14N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |