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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 202K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFB80N50Q2_07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFB82N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFB82N60Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFB82N60Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFB90N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFC10N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFC110N10P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXFC12N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXFC13N50 | IXYS |
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HiPerFET MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXFC14N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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