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IXFC24N50

更新时间： 2024-02-21 06:51:58

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描述
HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220

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IXFC24N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFC24N50 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

HiPerFET^TMMOSFETs

IXFC 26N50 500 V

IXFC 24N50 500 V

23 A

21 A

0.20 Ω

0.23 Ω

ISOPLUS220^TM

Electrically Isolated Back Surface

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

High dV/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220^TM

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N50

24N50

26N50

24N50

26N50

24N50

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, Pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

* Patent pending

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

230

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

Lowdraintotabcapacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Ruggedpolysilicongatecellstructure

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 minute leads-to-tab

FastintrinsicRectifier

Applications

DC-DC converters

Batterychargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

AC motor control

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

Advantages

Easy assembly: no screws, or isolation

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

foilsrequired

Space savings

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1 & 2

26N50

24N50

0.20

0.23

Ω

Lowcollectorcapacitancetoground

(low EMI)

98755 (10/00)

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IXFC24N50 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW28NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh
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IXFC26N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFC30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXFC40N30Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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