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IXFC24N50 PDF预览

IXFC24N50

更新时间： 2024-11-01 21:53:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220

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IXFC24N50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.23 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFC24N50 数据手册

 浏览型号IXFC24N50的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
HiPerFETTM MOSFETs  
IXFC 26N50 500 V  
IXFC 24N50 500 V  
23 A  
21 A  
0.20 Ω  
0.23 Ω  
ISOPLUS220TM  
Electrically Isolated Back Surface  
t ≤ 250 ns  
rr  
N-ChannelEnhancementMode  
High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS220TM  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
D
S
Isolated back surface*  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
26N50  
24N50  
26N50  
24N50  
26N50  
24N50  
23  
21  
92  
84  
26  
24  
A
A
A
A
A
A
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TC = 25°C, Pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
* Patent pending  
EAR  
TC = 25°C  
30  
5
mJ  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
V/ns  
Features  
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
PD  
TC = 25°C  
230  
W
- High power dissipation  
-Isolatedmountingsurface  
-2500Velectricalisolation  
Lowdraintotabcapacitance(<35pF)  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Ruggedpolysilicongatecellstructure  
UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
l
l
l
l
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
2500  
3
°C  
V~  
g
VISOL  
Weight  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 minute leads-to-tab  
l
FastintrinsicRectifier  
Applications  
l
DC-DC converters  
l
Batterychargers  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
l
Switched-modeandresonant-mode  
power supplies  
DC choppers  
min. typ. max.  
l
VGS = 0 V, ID = 250uA  
500  
2
V
V
l
AC motor control  
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 4mA  
4
Advantages  
l
Easy assembly: no screws, or isolation  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
foilsrequired  
Space savings  
IDSS  
VDS = 0.8 VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
200  
1
µA  
mA  
l
l
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = IT  
Notes 1 & 2  
26N50  
24N50  
0.20  
0.23  
Ω
Ω
l
Lowcollectorcapacitancetoground  
(low EMI)  
98755 (10/00)  
© 2000 IXYS All rights reserved  
12

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IXFC24N50 替代型号

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