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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 92 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFC26N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220 |
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| IXFC26N50Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFC30N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFC30N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFC36N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFC40N30Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFC52N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFC52N30P_08 | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFC60N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET MOSFET ISOPLUS220TM |
|
| IXFC74N20P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 |
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