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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 75 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFC80N085 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET-TM MOSFET ISOPLUS220-TM |
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| IXFC80N10 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXFC96N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXFD10N100-7Y | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXFD120N20-9X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXFD12N90-7L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IXFD130N30-9Y | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXFD13N50F-5F | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXFD14N100-8X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXFD14N100Q2-7F | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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