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IXFD23N80Q-82

更新时间： 2024-11-24 18:24:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.479 X 0.281 INCH, DIE

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IXFD23N80Q-82 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIE
包装说明：	0.479 X 0.281 INCH, DIE	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏源导通电阻：	0.44 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	元件数量：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFD23N80Q-82 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFET

HiPerFET^TMPower MOSFETs

Chip size

dimensions

Type

V_DSS

max.

R_DS(ON)

max.

Chip

type

Source -

bond wire

recommended

Equivalent

device

data sheet

The High Performance MOSFET family of Power

MOSFETs is designed to provide superior dv/dt

performance while eliminating the need for discrete,

fast recovery "free wheeling diodes" in a broad range of

power switching applications.

Ω

mils

IXFD76N07-7X

IXFD180N07-9X

IXFD340N07-9Y

0.015

0.007

0.005

8.84 x 7.18

14.20 x 10.60

15.81 x 14.31

348 x 283

559 x 417

623 x 563

15 mil x 3

15 mil x 6

12 mil x 12

IXFH76N07

IXFK180N07

IXFN340N07

This class of Power MOSFET uses IXYS' HDMOS

process,whichimprovestheruggednessoftheMOSFET

while reducing the reverse recovery time of the fast

intrinsic diode to 250 ns or less at elevated (150°C)

junction temperature. The performance of the fast

intrinsic diode is comparable to discrete high voltage

diodes and is tailored to minimize power dissipation

and stress in the MOSFET.

IXFD180N085-9X

IXFD280N085-9Y

0.007

0.005

14.20 x 10.60

15.81 x 14.31

559 x 417

623 x 563

15 mil x 6

12 mil x 12

IXFK180N085

IXFN280N085

IXFD75N10-7X

IXFD80N10Q-8X

IXFD170N10-9X

IXFD230N10-9Y

100

0.026

0.018

0.011

0.007

8.84 x 7.18

12.2 x 7.20

14.20 x 10.60

15.81 x 14.31

348 x 283

480 x 283

559 x 417

623 x 563

15 mil x 3

15 mil x 4

15 mil x 6

12 mil x 12

IXFH75N10

IXFH80N10Q

IXFK170N10

IXFN230N10

IXFD70N15-7X

IXFD150N15-9X

150

200

0.032

0.013

8.84 x 7.18

14.20 x 10.60

348 x 283

559 x 417

15 mil x 3

15 mil x 6

IXFH70N15

IXFK150N15

IXFD50N20-7X

IXFD60N20F-74

IXFD66N20Q-72

IXFD88N20Q-82

IXFD120N20-9X

IXFD180N20-9Y

0.049

0.042

0.044

0.035

0.020

0.014

8.84 x 7.18

9.58 x 7.13

8.89 x 7.16

12.17 x 7.14

14.20 x 10.60

15.81 x 14.31

348 x 283

377 x 281

350 x 282

479 x 281

559 x 417

623 x 563

15 mil x 3

15 mil x 4

15 mil x 6

12 mil x 12

IXFH50N20

IXFH60N20F

IXFH66N20Q

IXFH88N20Q

IXFK120N20

IXFN180N20

IXFD40N30Q-72

IXFD40N30-7X

IXFD52N30Q-82

IXFD73N30Q-8Y

IXFD90N30-9X

IXFD130N30-9Y

300

0.095

0.090

0.075

0.050

0.040

0.028

8.89 x 7.16

8.84 x 7.18

12.17 x 7.14

13.98 x 9.02

14.20 x 10.60

15.81 x 14.31

350 x 282

348 x 283

479 x 281

550 x 355

559 x 417

623 x 563

15 mil x 3

15 mil x 4

12 mil x 6

15 mil x 6

12 mil x 12

IXFH40N30Q

IXFH40N30

IXFH52N30Q

IXFK73N30Q

IXFK90N30

IXFN130N30

This table reflects only new designed chips. Please contact factory for older designs.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFD24N100-9X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
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IXFD24N50-7X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD24N90Q-8Y	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IXFD26N90-9X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD27N80Q-8Y	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD280N085-9Y	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD28N50F-74	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD30N60Q-82	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD32N50-8X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

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