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IXFC80N10

更新时间： 2024-11-01 21:55:35

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2页	73K
描述
HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220

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IXFC80N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	ISOPLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFC80N10 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

HiPerFET^TMMOSFET

ISOPLUS220^TM

IXFC 80N10 V

= 100 V

= 80 A

DSS

D25

Electrically Isolated Back Surface

= 12.5 mΩ

≤ 200 ns

DS(on)

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

ISOPLUS220^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

Leadcurrentlimit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

320

Isolated back surface*

D = Drain,

G = Gate,

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

2.5

* Patent pending

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

230

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

Lowdraintotabcapacitance(<35pF)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Low R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting force

300

°C

Ruggedpolysilicongatecellstructure

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

F_C

11..65/2.4..11 Nm/lb

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, leads-to-tab

2500

FastintrinsicRectifier

Weight

Symbol

Applications

DC-DC converters

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Batterychargers

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

100

2.0

ACmotorcontrol

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.0

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

50 µA

Easyassembly:noscrewsorisolation

foilsrequired

Space savings

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1, 2

12.5 mΩ

Lowcollectorcapacitancetoground

(low EMI)

98852 (8/01)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFC96N15P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220
IXFD10N100-7Y	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD120N20-9X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD12N90-7L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IXFD130N30-9Y	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD13N50F-5F	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD14N100-8X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD14N100Q2-7F	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IXFD150N15-9X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD15N80-7X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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