5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFD17N80Q-72
IXFD17N80Q-72 PDF预览

IXFD17N80Q-72

更新时间： 2023-02-26 16:15:34
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.67ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.350 X 0.282 INCH, DIE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFD17N80Q-72 数据手册

 浏览型号IXFD17N80Q-72的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFD17N80Q-72的Datasheet PDF文件第3页 
HiPerFETTM Power MOSFET  
HiPerFETTM Power MOSFETs  
Chip size  
dimensions  
Type  
VDSS  
max.  
RDS(ON)  
max.  
Chip  
type  
Source -  
bond wire  
recommended  
Equivalent  
device  
data sheet  
The High Performance MOSFET family of Power  
MOSFETs is designed to provide superior dv/dt  
performance while eliminating the need for discrete,  
fast recovery "free wheeling diodes" in a broad range of  
power switching applications.  
V
Ω
mm  
mils  
IXFD76N07-7X  
IXFD180N07-9X  
IXFD340N07-9Y  
70  
0.015  
0.007  
0.005  
7X  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH76N07  
IXFK180N07  
IXFN340N07  
This class of Power MOSFET uses IXYS' HDMOS  
process,whichimprovestheruggednessoftheMOSFET  
while reducing the reverse recovery time of the fast  
intrinsic diode to 250 ns or less at elevated (150°C)  
junction temperature. The performance of the fast  
intrinsic diode is comparable to discrete high voltage  
diodes and is tailored to minimize power dissipation  
and stress in the MOSFET.  
IXFD180N085-9X  
IXFD280N085-9Y  
85  
0.007  
0.005  
9X  
9Y  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFK180N085  
IXFN280N085  
IXFD75N10-7X  
IXFD80N10Q-8X  
IXFD170N10-9X  
IXFD230N10-9Y  
100  
0.026  
0.018  
0.011  
0.007  
7X  
8X  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
12.2 x 7.20  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
480 x 283  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH75N10  
IXFH80N10Q  
IXFK170N10  
IXFN230N10  
IXFD70N15-7X  
IXFD150N15-9X  
150  
200  
0.032  
0.013  
7X  
9X  
8.84 x 7.18  
14.20 x 10.60  
348 x 283  
559 x 417  
15 mil x 3  
15 mil x 6  
IXFH70N15  
IXFK150N15  
IXFD50N20-7X  
IXFD60N20F-74  
IXFD66N20Q-72  
IXFD88N20Q-82  
IXFD120N20-9X  
IXFD180N20-9Y  
0.049  
0.042  
0.044  
0.035  
0.020  
0.014  
7X  
74  
72  
82  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
9.58 x 7.13  
8.89 x 7.16  
12.17 x 7.14  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
377 x 281  
350 x 282  
479 x 281  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH50N20  
IXFH60N20F  
IXFH66N20Q  
IXFH88N20Q  
IXFK120N20  
IXFN180N20  
IXFD40N30Q-72  
IXFD40N30-7X  
IXFD52N30Q-82  
IXFD73N30Q-8Y  
IXFD90N30-9X  
IXFD130N30-9Y  
300  
0.095  
0.090  
0.075  
0.050  
0.040  
0.028  
72  
7X  
82  
8Y  
9X  
9Y  
8.89 x 7.16  
8.84 x 7.18  
12.17 x 7.14  
13.98 x 9.02  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
350 x 282  
348 x 283  
479 x 281  
550 x 355  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
12 mil x 6  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH40N30Q  
IXFH40N30  
IXFH52N30Q  
IXFK73N30Q  
IXFK90N30  
IXFN130N30  
This table reflects only new designed chips. Please contact factory for older designs.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
8
123

中文翻译

下载PDF

与IXFD17N80Q-72相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFD180N07-9X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD180N085-9X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD180N20-9Y IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD20N60-7X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD20N80Q-8X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD21N100F-8F IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD21N100Q-8Y IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD21N50F-7F IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD230N10-9Y IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD23N60Q-72 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

与IXFD17N80Q-72相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证