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IXFD130N30-9Y PDF预览

IXFD130N30-9Y

更新时间： 2024-11-02 18:24:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.623 X 0.563 INCH, DIE

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IXFD130N30-9Y 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR元件数量：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFD130N30-9Y 数据手册

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HiPerFETTM Power MOSFET  
HiPerFETTM Power MOSFETs  
Chip size  
dimensions  
Type  
VDSS  
max.  
RDS(ON)  
max.  
Chip  
type  
Source -  
bond wire  
recommended  
Equivalent  
device  
data sheet  
The High Performance MOSFET family of Power  
MOSFETs is designed to provide superior dv/dt  
performance while eliminating the need for discrete,  
fast recovery "free wheeling diodes" in a broad range of  
power switching applications.  
V
Ω
mm  
mils  
IXFD76N07-7X  
IXFD180N07-9X  
IXFD340N07-9Y  
70  
0.015  
0.007  
0.005  
7X  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH76N07  
IXFK180N07  
IXFN340N07  
This class of Power MOSFET uses IXYS' HDMOS  
process,whichimprovestheruggednessoftheMOSFET  
while reducing the reverse recovery time of the fast  
intrinsic diode to 250 ns or less at elevated (150°C)  
junction temperature. The performance of the fast  
intrinsic diode is comparable to discrete high voltage  
diodes and is tailored to minimize power dissipation  
and stress in the MOSFET.  
IXFD180N085-9X  
IXFD280N085-9Y  
85  
0.007  
0.005  
9X  
9Y  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFK180N085  
IXFN280N085  
IXFD75N10-7X  
IXFD80N10Q-8X  
IXFD170N10-9X  
IXFD230N10-9Y  
100  
0.026  
0.018  
0.011  
0.007  
7X  
8X  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
12.2 x 7.20  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
480 x 283  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH75N10  
IXFH80N10Q  
IXFK170N10  
IXFN230N10  
IXFD70N15-7X  
IXFD150N15-9X  
150  
200  
0.032  
0.013  
7X  
9X  
8.84 x 7.18  
14.20 x 10.60  
348 x 283  
559 x 417  
15 mil x 3  
15 mil x 6  
IXFH70N15  
IXFK150N15  
IXFD50N20-7X  
IXFD60N20F-74  
IXFD66N20Q-72  
IXFD88N20Q-82  
IXFD120N20-9X  
IXFD180N20-9Y  
0.049  
0.042  
0.044  
0.035  
0.020  
0.014  
7X  
74  
72  
82  
9X  
9Y  
8.84 x 7.18  
9.58 x 7.13  
8.89 x 7.16  
12.17 x 7.14  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
348 x 283  
377 x 281  
350 x 282  
479 x 281  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH50N20  
IXFH60N20F  
IXFH66N20Q  
IXFH88N20Q  
IXFK120N20  
IXFN180N20  
IXFD40N30Q-72  
IXFD40N30-7X  
IXFD52N30Q-82  
IXFD73N30Q-8Y  
IXFD90N30-9X  
IXFD130N30-9Y  
300  
0.095  
0.090  
0.075  
0.050  
0.040  
0.028  
72  
7X  
82  
8Y  
9X  
9Y  
8.89 x 7.16  
8.84 x 7.18  
12.17 x 7.14  
13.98 x 9.02  
14.20 x 10.60  
15.81 x 14.31  
350 x 282  
348 x 283  
479 x 281  
550 x 355  
559 x 417  
623 x 563  
15 mil x 3  
15 mil x 3  
15 mil x 4  
12 mil x 6  
15 mil x 6  
12 mil x 12  
IXFH40N30Q  
IXFH40N30  
IXFH52N30Q  
IXFK73N30Q  
IXFK90N30  
IXFN130N30  
This table reflects only new designed chips. Please contact factory for older designs.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
8
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFD13N50F-5F IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXFD14N100-8X IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFD14N100Q2-7F IXYS

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