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IXFC26N50Q

更新时间： 2024-11-02 21:17:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	529K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN

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IXFC26N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFC26N50Q 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

HiPerFET^TMMOSFETs

IXFC 26N50Q 500 V

23 A

0.20 Ω

ISOPLUS220^TM

IXFC 24N50Q 500 V

21 A

0.23 Ω

Electrically Isolated Back Surface

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

High dV/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

ISOPLUS 220^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface*

D = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N50

24N50

26N50

24N50

26N50

24N50

G = Gate

S = Source

T_C= 25°C, Pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

Lowdraintotabcapacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Ruggedpolysilicongatecellstructure

P_D

T_C= 25°C

230

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

FastintrinsicRectifier

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 minute leads-to-tab

Applications

DC-DC converters

Batterychargers

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

AC motor control

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

Easy assembly: no screws, or isolation

foilsrequired

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

Space savings

High power density

Lowcollectorcapacitancetoground

(low EMI)

100 nA

I_DSS

V_DS= 0.8•V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

200

µA

See IXFH26N50Q data sheet for

characteristiccurves

R_DS(on)

= 10 V, I_D= I_T

26N50

24N50

0.20

0.23

Ω

N^Go^Stes 1 & 2

DS98882A(07/03)

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