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IXFC40N30Q

更新时间： 2024-02-06 12:20:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	523K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN

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IXFC40N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFC40N30Q 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFC 40N30Q V_DSS= 300 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)= 80 mΩ

t_rr≤ 250 ns

ISOPLUS220^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

= 25°C

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

160

Isolated back surface*

I_AR

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

230

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

T_J

-55 ... +150

150

°C

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

Lowdraintotabcapacitance(<35pF)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting force

300

°C

Low R_{DS (on)}

Ruggedpolysilicongatecellstructure

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

F_C

11..65/2.4..11 Nm/lb

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 minute leads-to-tab

2500

FastintrinsicRectifier

Weight

Applications

DC-DC converters

Batterychargers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-modeandresonant-mode

min. typ. max.

power supplies

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

300

2.0

ACmotorcontrol

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.0

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easyassembly:noscrewsorisolation

V_DS= V

T = 25°C

25 µA

foilsrequired

V_GS= 0 ^DV^SS

T_J^J= 125°C

Space savings

High power density

Lowcollectorcapacitancetoground

(low EMI)

R_DS(on)

= 10 V, I_D= I_T

80 mΩ

No^GStes 1, 2

DS98907A(7/03)

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