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IXFC52N30P

更新时间： 2024-11-06 21:55:19
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IXYS /
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5页 96K
描述
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET

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IXFC52N30P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFC52N30P 数据手册

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Advance Technical Information  
PolarHTTM  
HiPerFET  
Power MOSFET  
IXFC52N30P  
VDSS  
ID25  
= 300 V  
= 32 A  
RDS(on) = 75 mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
ISOPLUS220TM(IXFC)  
E153432  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
300  
300  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
32  
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
150  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
IAR  
TC = 25°C  
52  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
mJ  
J
1.0  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
TC = 25°C  
100  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
TL  
VISOL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute, leads-to-tab  
300  
2500  
°C  
V~  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
z Low drain to tab capacitance(<30pF)  
FC  
Mounting Force  
11..65/2.5..15  
2.0  
N/lb  
g
Weight  
ISOPLUS220  
Advantages  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
300  
V
V
z
2.5  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
65  
75 mΩ  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99115A(04/05)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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