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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFC74N20P
IXFC74N20P PDF预览

IXFC74N20P

更新时间： 2024-02-21 10:00:57
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

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IXFC74N20P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：ISOPLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFC74N20P 数据手册

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PolarHTTM HiPerFET  
Power MOSFET  
IXFC 74N20P  
VDSS = 200  
V
A
ID25  
RDS(on)  
trr  
=
=
35  
36 mΩ  
ISOPLUS220TM  
≤ 200 ns  
(Electrically Isolated Back Surface)  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Recovery Diode, Avalanche  
Rated  
ISOPLUS 220TM  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
200  
200  
V
V
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
G
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
D
S
Isolated back surface*  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
35  
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
200  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
IAR  
TC = 25°C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
40  
mJ  
J
1.0  
Features  
z Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
TC = 25°C  
120  
W
z Low drain to tab capacitance(<35pF)  
z Low RDS (on) HDMOSTM process  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z Rugged polysilicon gate cell structure  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
50/60 Hz, RMS, IISOL ≤ 1 mA, t = 1 minute  
Mounting Force  
300  
°C  
V~  
N/lb  
g
z Fast intrinsic Rectifier  
VISOL  
FC  
2500  
11..65 / 2.5..15  
3
Applications  
z
DC-DC converters  
Battery chargers  
Switched-mode and resonant-mode  
Weight  
z
z
power supplies  
DC choppers  
z AC motor control  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Advantages  
Easy assembly: no screws, or isolation  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
200  
V
V
z
foils required  
Space savings  
High power density  
Low collector capacitance to ground  
2.5  
5.0  
z
z
100  
nA  
z
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
μA  
μA  
(low EMI)  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 37 A  
36 mΩ  
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99243E(03/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12345

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