IXFC26N50P

更新时间： 2024-02-29 06:09:20

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220

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IXFC26N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFC26N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFC 26N50P

V_DSS= 500

I_D25= 15

ISOPLUS 220^TM

R_DS(on)≤ 260 mΩ

trr ≤ 250 ns

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(Isolated Tab)

D = Drain

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

G = Gate

S = Source

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

Features

T_C=25° C

130

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Low drain to tab capacitance(<30pF)

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, t = 1, leads-to-tab

Mounting Force

2500

Applications

11..65/2.5..15

N/lb

DC-DC converters

Battery chargers

Weight

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

AC motor control

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

Easy assembly

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Space savings

3.0

5.5

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

260 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99310E(03/06)

12 3 4 5

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