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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFC26N50P | IXYS |
功能相似  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTC280N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 145A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTC36P15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTC62N15P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTC75N10 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTC96N25T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 250V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTD01N100D-1M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 110ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD02N50D-1M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IXTD100N25P-8S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD102N30P-88 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD10N100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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