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STW28NM50N

更新时间: 2024-02-11 09:21:18
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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21页 966K
描述
N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh

STW28NM50N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-247包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.71雪崩能效等级(Eas):430 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):21 A最大漏极电流 (ID):21 A
最大漏源导通电阻:0.158 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STW28NM50N 数据手册

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