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IXFC15N80Q

更新时间： 2024-11-01 22:47:59

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2页	518K
描述
HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface

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IXFC15N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.65 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFC15N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

IXFC 15N80Q V_DSS

I_D25

= 800 V

13 A

= 0.65 Ω

ISOPLUS 220^TMMOSFET

Q-Class

R_DS(on)

Electrically Isolated Back Surface

t_rr≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

ISOPLUS220^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface*

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Features

1.0

z Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

- 2500V electrical isolation

z Low drain to tab capacitance(<35pF)

z Low R

P_D

T_C= 25°C

230

T_J

T_JM

T_stg

-40 ... +150

150

-40 ... +150

°C

z Rugge^Dd^Sp^(ono⁾lysilicon gate cell structure

z Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

z Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min leads to tab

mounting force with clip

2500

11...65 / 2.5...15

Applications

N/lb

F_C

z DC-DC converters

z Battery chargers

Weight

z Switched-mode and resonant-mode

power supplies

z DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

z AC motor control

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

800

Advantages

2.0

4.5

z Easy assembly: no screws or isolation

foils required

100 nA

z Space savings

z High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

See IXFH15N80Q data sheet for

characteristiccurves

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.65

Ω

DS98946B(07/03)

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