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IXFB72N55Q2

更新时间： 2024-02-28 20:23:43

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4页	557K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFB72N55Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏极电流 (ID)：	72 A
最大漏源导通电阻：	0.072 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	284 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFB72N55Q2 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS= 550 V

I_D25= 72 A

IXFB 72N55Q2

Power MOSFETs

Q-Class

R_DS(on)= 72 mΩ

≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

t_rr

Preliminary Data Sheet

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

550

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

284

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

5.0

T^C_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Double metal process for low gate

resistance

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

P_D

T_J

T_C= 25°C

890

-55 ... +150

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mounting Force

300

°C

Applications

F_c

30...120/7.5...27 N/lb

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

DC choppers

Pulsegeneration

Laser drivers

Weight

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

550

2.5

PLUS 264^TMpackage for clip or spring

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

5.0 V

200 nA

mounting

Space savings

High power density

I_DSS

= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

V_G^D_S^S= 0^DV^SS

5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

72 mΩ

DS98999C(10/03)

12 3 4

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