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IXFB70N100X

更新时间： 2024-01-21 14:39:32

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	216K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFB70N100X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXFB70N100X 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 70A

IXFB70N100X

R_DS(on) 89m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PLUS264^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

G = Gate

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

= Source

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

2.5

P_D

T_C= 25C

1785

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



Low Q_G

Avalanche Rated



Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting Force

30..120 / 6.7..27

N/lb

Advantages

Weight



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Power Supplies



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

1000



3.5

6.0



I_GSS

I_DSS

V_GS=  30V, V_DS= 0V

200 nA

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

50 A

T_J= 125C

7.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

89 m

DS100944A(10/18)

12 3 4 5 6

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