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IXFC10N80P

更新时间： 2024-11-02 20:02:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	83K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220SMD, 3 PIN

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IXFC10N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	ISOPLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.0012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFC10N80P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TMHiPerFET

IXFC 10N80P

V_DSS= 800 V

I_D255 A

R_DS(on)≤ 1.2 mΩ

≤ 250 ns

Power MOSFET

ISOPLUS220^TM

t_rr

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated back surface

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

Features

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

T_C= 25°C

100

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

^zLow drain to tab capacitance(<35pF)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1, leads-to-tab

2500

F_C

Mounting Force

11..65/2.5..15

N/lb

^zFast intrinsic Rectifier

Weight

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

power supplies

DC choppers

^zAC motor control

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.5

Advantages

Easy assembly: no screws, or isolation

100

foils required

Space savings

High power density

Low collector capacitance to ground

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T,(Note 1)

1.2 mΩ

(low EMI)

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99601E(07/06)

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