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IXFC22N60P

更新时间： 2024-11-02 11:13:59

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

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IXFC22N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	ISOPLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.36 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFC22N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFC 22N60P

V_DSS= 600

I_D25= 12 A

R_DS(on)≤ 360 mΩ

ISOPLUS220^TM

t_rr

≤ 200 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(Isolated back surface*)

I_AR

T_C=25° C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Low drain to tab capacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_C=25° C

130

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS t = 1 minute leads-to-tab

Mounting Force

2500

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

power supplies

DC choppers

AC motor control

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

Easy assembly: no screws, or isolation

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

600

foils required

Space savings

High power density

Low collector capacitance to ground

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

3.0

5.0

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

(low EMI)

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T, Note 1

360 mΩ

DS99439E(02/06)

12 3 4 5

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