Datasheet > IXFC22N60P

IXFC22N60P

更新时间： 2024-02-11 15:42:09

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	231K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFC22N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	ISOPLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.36 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFC22N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFC 22N60P

V_DSS= 600

I_D25= 12 A

R_DS(on)≤ 360 mΩ

ISOPLUS220^TM

t_rr

≤ 200 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220^TM(IXFC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(Isolated back surface*)

I_AR

T_C=25° C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Low drain to tab capacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_C=25° C

130

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS t = 1 minute leads-to-tab

Mounting Force

2500

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

power supplies

DC choppers

AC motor control

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

Easy assembly: no screws, or isolation

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

600

foils required

Space savings

High power density

Low collector capacitance to ground

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

3.0

5.0

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

(low EMI)

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T, Note 1

360 mΩ

DS99439E(02/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFC22N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFC24N50	IXYS	获取价格	HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC26N50	IXYS	获取价格	HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC26N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220
IXFC26N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFC30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFC30N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFC36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFC40N30Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 300V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFC52N30P	IXYS	获取价格	PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
IXFC52N30P_08	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET

与IXFC22N60P相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

7
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFC22N60P

IXFC22N60P 技术参数

IXFC22N60P 数据手册

与IXFC22N60P相关器件

与IXFC22N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFC22N60P

IXFC22N60P 技术参数

IXFC22N60P 数据手册

与IXFC22N60P相关器件

与IXFC22N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？