5秒后页面跳转

Datasheet > IXFB38N100Q2_08

IXFB38N100Q2_08 PDF预览

IXFB38N100Q2_08

更新时间： 2024-01-01 22:12:49

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	126K
描述
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFB38N100Q2_08 数据手册

浏览型号IXFB38N100Q2_08的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFB38N100Q2_08的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFB38N100Q2_08的Datasheet PDF文件第4页

HiPerFET^TM

Power MOSFET

Q2-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 38A

IXFB38N100Q2

R

≤ 250mΩ

t_rr^DS(on)≤ 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_G

High dV/dt, Low t_rr

PLUS264^TM( IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

1000

V

V

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

V

V

G

( TAB )

D

S

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

38

152

A

A

G = Gate

S = Source

D

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

38

5

A

J

TAB = Drain

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

20

890

V/ns

W

^zDouble metal process for low gate

resistance

T_J

-55 ... +150

°C

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

°C

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^zFast intrinsic rectifier

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

°C

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

10

N / lbs

g

Applications

Weight

z

DC-DC converters

z

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

z

DC choppers

^zPulse generation

^zLaser drivers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

z

PLUS 264^TMpackage for clip or spring

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0V

1000

V

V

mounting

Space savings

High power density

z

3.0

5.5

z

± 200 nA

50 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

3

mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 mΩ

DS98949F(05/08)

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXFB38N100Q2_08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFB40N110P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB40N110P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB40N110Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFB40N110Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFB44N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB44N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB44N100Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFB44N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFB50N80Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFB50N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

与IXFB38N100Q2_08相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证