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IXFB40N110P

更新时间： 2024-03-12 21:01:45

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力特 - LITTELFUSE		/
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Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1100V

I_D25= 40A

R_DS(on)≤ 260mΩ

≤ 300ns

IXFB40N110P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1100

1100

V

V

G

D

S

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

V

V

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

40

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C

20

2

A

J

Features

E_AS

^zFast recovery diode

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

15

V/ns

W

1250

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

Advantages

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

°C

z

Plus 264^TMpackage for clip or spring

mounting

Space savings

High power density

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

10

N/lb.

g

z

z

Weight

Applications:

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1100

V

V

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

3.5

6.5

±200

nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50

3

μA

mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

260 mΩ

DS99849B(03/08)

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

12 3 4 5

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