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IXFB50N80Q2

更新时间： 2023-12-06 20:13:12

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力特 - LITTELFUSE		/
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HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

V_DSS= 800V

I_D25= 50A

IXFB50N80Q2

R_DS(on)≤ 160mΩ

t_rr

300ns

≤

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_G

High dV/dt, Low t_rr

PLUS264

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

800

V

V

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

V

V

G

D

Tab

S

I_D25

I_DM

T_C=25°C

50

A

A

G = Gate

S = Source

D

= Drain

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

Tab = Drain

I_A

T_C=25°C

T_C=25°C

50

5

A

J

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C=25°C

20

V/ns

W

^ꢀDouble Metal Process for Low Gate

Resistance

1135

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

^ꢀAvalancheRated

T_JM

T_stg

^ꢀLow Package Inductance

^ꢀFast Intrinsic Rectifier

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

Advantages

ꢀ

Weight

10

g

Easy to Mount

SpaceSavings

High Power Density

ꢀ

ꢀ

Applications

^ꢀSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies >500kHz Switching

^ꢀDC-DCConverters

ꢀ

DCChoppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

800

3.0

Typ.

Max.

^ꢀPulseGeneration

^ꢀLaserDrivers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

V

5.5

V

± 200 nA

I_DSS

50 µA

3 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

160 mΩ

DS99005D(01/10)

© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

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