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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFB38N100Q2 | IXYS |
功能相似  |
HiPerFET TM Power MOSFETs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFB40N110Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFB40N110Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFB44N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFB44N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFB44N100Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFB44N100Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFB50N80Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFB50N80Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFB52N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFB52N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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