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IXFB40N110P

更新时间： 2024-01-22 21:41:03

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFB40N110P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.21	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.26 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFB40N110P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1100V

I_D25= 40A

R_DS(on)≤ 260mΩ

≤ 300ns

IXFB40N110P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1100

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

I_AR

T_C= 25°C

Features

E_AS

^zFast recovery diode

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

1250

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Advantages

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Plus 264^TMpackage for clip or spring

mounting

Space savings

High power density

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

N/lb.

Weight

Applications:

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1100

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

3.5

6.5

±200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

260 mΩ

DS99849B(03/08)

12 3 4

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