5秒后页面跳转

Datasheet > IXFB60N80P

IXFB60N80P PDF预览

IXFB60N80P

更新时间： 2024-01-31 15:02:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	234K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFB60N80P 数据手册

浏览型号IXFB60N80P的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFB60N80P的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFB60N80P的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFB60N80P的Datasheet PDF文件第5页

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFB 60N80P

V_DSS= 800 V

I_D2560 A

R_DS(on)≤ 140 mΩ

≤ 250 ns

=

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

PLUS264^TM(IXFB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

800

800

V

V

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

V

V

(TAB)

G

D

S

I_D25

I_DM

T_C=25° C

60

A

A

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

150

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C=25° C

30

A

E_AR

E_AS

T_C=25° C

T_C=25° C

100

5

mJ

J

Features

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

,

20

V/ns

l

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

l

l

T_C=25° C

1250

W

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

l

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

°C

Advantages

F_C

Mounting force

30..120/7.5...2.7

10

N/lb

g

l

Plus 264^TMpackage for clip or spring

Space savings

Weight

l

l

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

800

V

V

3.0

5.0

200

nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25

3000

µA

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

140 mΩ

DS99560E(02/06)

© 2006 IXYS All rights reserved

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFB60N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFB62N80Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class
IXFB62N80Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFB70N100X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFB70N60Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXFB70N60Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFB72N55Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFB80N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFB80N50Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFB80N50Q2_07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFB82N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFB60N80P相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证