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IXFB44N100Q3

更新时间： 2024-11-02 11:13:59

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描述
HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXFB44N100Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFET

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 44A

IXFB44N100Q3

R_DS(on)≤ 220mΩ

t_rr

≤ 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

PLUS264^TM

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

= Drain

= Source

Tab = Drain

110

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

1560

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

°C

Advantages

T_SOLD

F_C

260

30..120/6.7..27

Mounting Force

N/lb.

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Weight

Applications

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

6.5

±200 nA

I_DSS

50 μA

T_J= 125°C

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

220 mΩ

DS100307(03/11)

12 3 4 5

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