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IXFB44N100P

更新时间： 2024-11-18 11:57:11

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4页	129K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFB44N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.32
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFB44N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 44A

R_DS(on)≤ 220mΩ

≤ 300ns

IXFB44N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

110

G = Gate

S = Source

= Drain

I_AR

T_C= 25°C

TAB = Drain

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

1250

^zFast recovery diode

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Advantages

F_C

Mounting torque

30..120/6.7..27

N/lb.

Plus 264^TMpackage for clip or spring

mounting

Space savings

High power density

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zDC-DC Converters

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1000

3.5

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

6.5

± 200 nA

50 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25,Note 1

220 mΩ

DS99867A(04/08)

12 3 4

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IXFB44N100Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFX40N90P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFB44N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFB50N80Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFB50N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFB52N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
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IXFB60N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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IXFB62N80Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class
IXFB62N80Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和

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