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IXFX40N90P

更新时间： 2024-11-21 07:02:55

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4页	117K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFX40N90P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.21 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX40N90P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 900V

I_D25= 40A

IXFK40N90P

IXFX40N90P

R_DS(on)≤ 210mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 300ns

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

900

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

PLUS247 (IXFX)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

960

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

M_d

Mounting torque (IXFK)

Mounting force (IXFX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

20..120 /4.5..27

Features

Weight

TO-264

TO-247

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zLow package inductance

^zFast intrinsic diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Advantages

Min. Typ. Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

900

3.5

High power density

6.5

Applications:

± 200 nA

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3.5 mA

T_J= 125°C

^zDC-DC Converters

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

210 mΩ

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

DS100061(10/08)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFB44N100P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK40N90P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB44N100Q3	IXYS	功能相似	HiperFET Power MOSFET Q3-Class

与IXFX40N90P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX420N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFX420N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX44N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class MegaHertz Switching Single MOSFET Die
IXFX44N50Q	IXYS	获取价格	HiPer FET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX44N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX44N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX44N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFX44N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX44N80Q3	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247

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