Datasheet > IXFX44N50Q

IXFX44N50Q

更新时间： 2024-02-17 00:57:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
HiPer FET Power MOSFETs Q-CLASS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFX44N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	44 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX44N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mW

IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mW

t_rr£ 250 ns

Single MOSFET Die

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg

High dV/dt, Low t_rr

Preliminary data

PLUS 247^TM(IXFX)

MaximumRatings

Symbol

TestConditions

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-264 AA (IXFK)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50

48N50

44N50

48N50

176

192

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

500

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

• Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

2.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.0 V

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

44N50

48N50

120 mW

100 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98612B(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXFX44N50Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX44N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX44N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX44N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFX44N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX44N80Q3	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
IXFX48N50Q	IXYS	获取价格
IXFX48N55	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX48N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFX48N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

与IXFX44N50Q相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

0
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

0
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

1
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFX44N50Q

IXFX44N50Q 技术参数

IXFX44N50Q 数据手册

与IXFX44N50Q相关器件

与IXFX44N50Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFX44N50Q

IXFX44N50Q 技术参数

IXFX44N50Q 数据手册

与IXFX44N50Q相关器件

与IXFX44N50Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？