是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 550 V |
最大漏极电流 (ID): | 48 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 192 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX48N60P | IXYS |
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PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic | |
IXFX48N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFX48N60Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX50N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET | |
IXFX520N075T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX52N100X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFX52N60Q2 | IXYS |
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Advanced Technical Information | |
IXFX55N50 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs |