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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 291K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 48 A | 最大漏源导通电阻: | 0.135 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX48N60Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX50N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET | |
IXFX520N075T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX52N100X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFX52N60Q2 | IXYS |
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Advanced Technical Information | |
IXFX55N50 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFX55N50F | IXYS |
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HiPerRFTM Power MOSFETs | |
IXFX60N55Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |