5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 62 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 62 A | 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 248 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX64N50P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFX64N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFX64N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFX64N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFX64N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFX64N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
|
| IXFX66N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
|
| IXFX66N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
|
| IXFX73N30Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFX74N50P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2 HiPerFET Power MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
