IXFX48N50Q

更新时间： 2024-09-28 00:04:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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IXFX48N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.31
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX48N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFN 44N50Q

IXFN 48N50Q

500 V 44 A 120 mW

500 V 48 A 100 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50

48N50

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

44N50

48N50

176

192

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_C= 25°C

Features

E_AR

E_AS

2.5

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

-55 to +150

150

°C

• Low R_{DS (on)}

• Fastintrinsicdiode

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC withAluminiumnitride

isolationforlowthermalresistance

• Low terminal inductance (<10 nH) and

stray capacitance to heatsink (<35pf)

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

T_JM

T_stg

V_ISOL

-55 to +150

50/60 Hz, RMS t = 1 min

2500

3000

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

min.

typ.

max.

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

2.0

V_GS(th)

4.0

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

44N50

48N50

120 mW

100 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98715(03/30/00)

1 - 2

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IXFX48N50Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT5010B2VFRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT5010B2VRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX48N55	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX48N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFX48N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX48N60Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX50N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX50N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX520N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
IXFX520N075T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX52N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
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