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IXFX73N30Q

更新时间： 2024-01-20 22:52:05

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

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IXFX73N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	73 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	292 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX73N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

IXFX 73N30Q V_DSS= 300 V

IXFK 73N30Q I_D25= 73 A

R_DS(on)= 42 mΩ

t ≤ 250 µs

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Qg,

High dV/dt, Low t

PLUS247^TM(IXFX)

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ

300

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-264AA(IXFK)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

292

= 25°C, pulse width limited by T

= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V

V/ns

DSS

≤ 150°C, R = 2 Ω

P_D

= 25°C

500

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mounting torque (TO-264)

300

°C

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

M_d

0.4/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Applications

DC-DC converters

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T = 25°C, unless otherwise specified)

Batterychargers

Switched-mode and resonant-mode

min. typ. max.

power supplies

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

300

2.0

V_GS(th)

I_GSS

4.0 V

AC motor control

Temperatureandlightingcontrols

= ±20 V, V = 0

±100 nA

Advantages

PLUS 247 package for clip or spring

I_DSS

= V 0.8 V

DSS

100 µA

2 mA

DSS

= 0 V

= 125°C

mounting

Space savings

High power density

R_DS(on)

Note 1

= 10 V, I = 0.5 I

42 mΩ

D25

98870 (12/01)

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IXFX90N30	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK73N30	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
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