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IXFX64N60P3

更新时间： 2023-01-02 16:27:48

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	133K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFX64N60P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	3.66
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A
最大漏极电流 (ID)：	64 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1130 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFX64N60P3 数据手册

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 64A

IXFK64N60P3

IXFX64N60P3

R_DS(on) 100m

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

160

I_A

E_AS

T_C= 25C

1.5

Tab

P_D

T_C= 25C

1130

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

^Fast Intrinsic Diode

^Low Q_G

^Low R_DS(on)

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

3.0

5.0

Applications

200 nA

25 A

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

I_DSS

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125C

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 m

^High Speed Power Switching

Applications

DS100312B(04/14)

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