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IXFB38N100Q2

更新时间： 2024-02-01 23:57:39

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HiPerFET TM Power MOSFETs

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IXFB38N100Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLUS264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.28	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	890 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	152 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFB38N100Q2 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFB38N100Q2

V_DSS= 1000 V

I_D2538 A

_DS(on)= 0.25 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

t_rr≤ 300 ns

PLUS264^TM(IXFB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

152

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

5.0

Features

^zDouble metal process for low gate

resistance

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^zFast intrinsic rectifier

P_D

T_J

T_C= 25°C

890

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mounting Force

300

°C

Applications

F_c

30...120/7.5...27 N/lb

DC-DC converters

Weight

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

DC choppers

^zPulsegeneration

^zLaser drivers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D=8 mA

1000

PLUS 264^TMpackage for clip or spring

V_GS(th)

I_GSS

2.5

5.5 V

mounting

Space savings

V_GS

30 V, V_DS= 0

200 nA

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 μA

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

0.25 Ω

DS98949E(09/05)

12 3 4

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IXFB38N100Q2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFB38N100Q	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFB40N110P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFB38N100Q2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFB38N100Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFB40N110P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB40N110P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB40N110Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFB40N110Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFB44N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFB44N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFB44N100Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFB44N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFB50N80Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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