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IXFB38N100Q

更新时间： 2024-01-28 07:12:06

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	139K
描述
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS264, 3 PIN

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IXFB38N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.32	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.26 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	152 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFB38N100Q 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000 V

I_D2538 A

_DS(on)= 0.26 Ω

IXFB 38N100Q

Power MOSFETs

Q-Class

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

t_rr≤ 300 ns

PLUS 264^TM(IXFB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±30

±40

V_GSM

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

152

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

5.0

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

●

Double metal process for low gate

resistance

^●Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

P_D

T_J

T_C= 25°C

890

-55 ... +150

°C

●

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_JM

150

-55 ... +150

°C

^●Fast intrinsic rectifier

T_stg

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

^●DC-DC converters

^●Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

^●DC choppers

^●Pulsegeneration

^●Laser drivers

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

1000

^●PLUS 264^TMpackage for clip or spring

mounting

^●Space savings

^●High power density

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

3.0

5.0 V

±200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

0.26 Ω

98949 (10/02)

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